VS-60EPS12-M3 Vishay Semiconductors
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Technische Details VS-60EPS12-M3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GP 1.2KV 60A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 60A, Supplier Device Package: TO-247AC Modified, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.09 V @ 60 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote VS-60EPS12-M3 nach Preis ab 10.87 EUR bis 15.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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VS-60EPS12-M3 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GP 1.2KV 60A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 60A Supplier Device Package: TO-247AC Modified Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.09 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
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VS-60EPS12-M3 | Hersteller : Vishay |
Diode Switching 1.2KV 60A 2-Pin(2+Tab) TO-247AC Modified Tube |
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