VS-6EWH06FNTR-M3

VS-6EWH06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division


vs-6ewh06fn-m3.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 27 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
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Technische Details VS-6EWH06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 27 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V.

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VS-6EWH06FNTR-M3 VS-6EWH06FNTR-M3 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6ewh06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 27 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 6 A
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Produktcode: 177321
vs-6ewh06fn-m3.pdf Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
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