VS-85EPF12 Vishay Semiconductors
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| 2+ | 27.09 EUR |
| 10+ | 24.36 EUR |
| 25+ | 23.84 EUR |
| 50+ | 23.06 EUR |
| 100+ | 20.83 EUR |
| 250+ | 18.95 EUR |
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Technische Details VS-85EPF12 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GP 1.2KV 85A POWIRTAB, Packaging: Bulk, Package / Case: PowerTab™, PowIRtab™, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 190 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 85A, Supplier Device Package: PowIRtab™, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 85 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote VS-85EPF12
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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VS-85EPF12 Produktcode: 38120 |
 Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle |
Produkt ist nicht verfügbar
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VS-85EPF12 | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1.2KV 85A 480ns 2-Pin(1+Tab) Power Tab |
Produkt ist nicht verfügbar |
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VS-85EPF12 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GP 1.2KV 85A POWIRTAB Packaging: Bulk Package / Case: PowerTab™, PowIRtab™ Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 190 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 85A Supplier Device Package: PowIRtab™ Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 85 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |