VS-8ETH03-M3 Vishay Semiconductors
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Technische Details VS-8ETH03-M3 Vishay Semiconductors
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; Ir: 200uA, Type of diode: rectifying, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 300V, Load current: 8A, Reverse recovery time: 35ns, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: ultrafast switching, Case: TO220AC, Max. forward voltage: 0.83V, Max. forward impulse current: 100A, Leakage current: 0.2mA, Kind of package: tube, Heatsink thickness: 1.14...1.4mm, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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VS-8ETH03-M3 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 300V 8A TO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 300 V |
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VS-8ETH03-M3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-8ETH03-M3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 35 ns, 100 A tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Sperrverzögerungszeit: 35ns rohsCompliant: YES Durchlassstoßstrom: 100A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Durchlassspannung, max.: 1.25V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 300V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
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VS-8ETH03-M3 | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 300V 8A 35ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
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| VS-8ETH03-M3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; Ir: 200uA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 300V Load current: 8A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: TO220AC Max. forward voltage: 0.83V Max. forward impulse current: 100A Leakage current: 0.2mA Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| VS-8ETH03-M3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; Ir: 200uA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 300V Load current: 8A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: TO220AC Max. forward voltage: 0.83V Max. forward impulse current: 100A Leakage current: 0.2mA Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
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