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VS-8EWF06S-M3

VS-8EWF06S-M3 Vishay


vs-8ewf02sm.pdf Hersteller: Vishay
Diode Switching Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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Technische Details VS-8EWF06S-M3 Vishay

Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V.

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VS-8EWF06S-M3 VS-8EWF06S-M3 Hersteller : Vishay vs-8ewf02sm.pdf Diode Switching Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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VS-8EWF06S-M3 VS-8EWF06S-M3 Hersteller : Vishay Semiconductors vs-8ewf02sm.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3
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VS-8EWF06S-M3 VS-8EWF06S-M3 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewf02sm.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
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VS-8EWF06S-M3
Produktcode: 164120
vs-8ewf02sm.pdf Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
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VS-8EWF06S-M3 VS-8EWF06S-M3 Hersteller : Vishay vs-8ewf02sm.pdf Diode Switching Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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VS-8EWF06S-M3 VS-8EWF06S-M3 Hersteller : VISHAY vs-8ewf02sm.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 8A; 200ns; DPAK; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 150A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Reverse recovery time: 200ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Case: DPAK
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 150A
Leakage current: 3mA
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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VS-8EWF06S-M3 VS-8EWF06S-M3 Hersteller : VISHAY vs-8ewf02sm.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 8A; 200ns; DPAK; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 150A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Reverse recovery time: 200ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Case: DPAK
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 150A
Leakage current: 3mA
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