VS-8EWH06FN-M3

VS-8EWH06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division


vs-8ewh06fn-m3.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
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Technische Details VS-8EWH06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V.

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VS-8EWH06FN-M3 VS-8EWH06FN-M3 Hersteller : Vishay Semiconductors vs-8ewh06fn-m3.pdf Rectifiers 8A 600V 18ns Hyperfast
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VS-8EWH06FN-M3 VS-8EWH06FN-M3 Hersteller : Vishay vs-8ewh06fn-m3.pdf Diode Switching 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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