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Technische Details VS-EPH3007L-N3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - VS-EPH3007L-N3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Einfach, 2.1 V, 33 ns, 195 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247AD, Durchlassstoßstrom: 195A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 2.1V, Sperrverzögerungszeit: 33ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote VS-EPH3007L-N3 nach Preis ab 4.84 EUR bis 7.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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VS-EPH3007L-N3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - VS-EPH3007L-N3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Einfach, 2.1 V, 33 ns, 195 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247AD Durchlassstoßstrom: 195A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 33ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
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| VS-EPH3007L-N3 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 650V 30A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-247AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V |
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| VS-EPH3007L-N3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 30A; tube; Ifsm: 195A; TO247AD-2; 37ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 195A Case: TO247AD-2 Max. forward voltage: 2.1V Reverse recovery time: 37ns |
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