VS-ETF150Y65N Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 650V 201A 600W
Packaging: Box
Package / Case: Module
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 201 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
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Technische Details VS-ETF150Y65N Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: IGBT MOD 650V 201A 600W, Packaging: Box, Package / Case: Module, Input: Standard, Configuration: Half Bridge Inverter, Operating Temperature: 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 150A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 201 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 600 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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VS-ETF150Y65N | Hersteller : Vishay Semiconductors |
IGBT Modules 650V Vces 150A Ic 3 Levels Half-Bridge |
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