VS-GT180DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 281A 1087W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 281 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1087 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1+ | 108.86 EUR |
| 10+ | 97 EUR |
| 100+ | 85.14 EUR |
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Technische Details VS-GT180DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VS-GT180DA120U - IGBT-Modul, 281 A, 1.087 kW, 150 °C, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, Dauer-Kollektorstrom: 281A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -, Verlustleistung Pd: 1.087kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.087kW, Bauform - Transistor: SOT-227, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: -, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 281A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote VS-GT180DA120U nach Preis ab 93.7 EUR bis 109.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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VS-GT180DA120U | Hersteller : Vishay Semiconductors |
IGBT Modules 1200V, 180A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr |
auf Bestellung 1485 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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VS-GT180DA120U | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-GT180DA120U - IGBT-Modul, 281 A, 1.087 kW, 150 °C, SOT-227 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - Dauer-Kollektorstrom: 281A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): - Verlustleistung Pd: 1.087kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.087kW Bauform - Transistor: SOT-227 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: - productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 281A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| VS-GT180DA120U | Hersteller : Vishay |
Insulated Gate Bipolar Module Transistor |
auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VS-GT180DA120U | Hersteller : VISHAY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 185A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 185A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 390A Technology: Trench Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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VS-GT180DA120U | Hersteller : VISHAY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 185A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 185A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 390A Technology: Trench Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mechanical mounting: screw |
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