VS-GT80DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 139 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 658 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 139 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 658 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 88.3 EUR |
10+ | 78.46 EUR |
100+ | 68.62 EUR |
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Technische Details VS-GT80DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VS-GT80DA120U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 139 A, 658 W, 150 °C, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, Dauer-Kollektorstrom: 139A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, euEccn: NLR, Verlustleistung: 658W, Bauform - Transistor: SOT-227, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote VS-GT80DA120U nach Preis ab 69.81 EUR bis 89.83 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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VS-GT80DA120U | Hersteller : Vishay Semiconductors | IGBT Modules 1200V, 80A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr |
auf Bestellung 572 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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VS-GT80DA120U | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-GT80DA120U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 139 A, 658 W, 150 °C, SOT-227 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - Dauer-Kollektorstrom: 139A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen euEccn: NLR Verlustleistung: 658W Bauform - Transistor: SOT-227 Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VS-GT80DA120U | Hersteller : Vishay | Trans IGBT Module N-CH 1200V 139A 658W 4-Pin SOT-227 |
Produkt ist nicht verfügbar |