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YJQ4666B YJQ4666B YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC023D8EF6E78BF&compId=YJQ4666B.pdf?ci_sign=8d540fe7042fad1ee75623e59d7378d0b6796652 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
910+0.079 EUR
1170+0.061 EUR
1300+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 910
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJQ4666B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC023D8EF6E78BF&compId=YJQ4666B.pdf?ci_sign=8d540fe7042fad1ee75623e59d7378d0b6796652
YJQ4666B
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -16V; -5.6A; 2.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -16V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
910+0.079 EUR
1170+0.061 EUR
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Mindestbestellmenge: 910
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