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ZX5T853GTA

ZX5T853GTA Diodes Incorporated

ZX5T853G.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V
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Technische Details ZX5T853GTA Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 3 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ZX5T853GTA ZX5T853GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZX5T853G.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3 W
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ZX5T853GTA ZX5T853GTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZX5T853GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: ZX Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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ZX5T853GTA ZX5T853GTA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZX5T853GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Verlustleistung: 3
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Dauer-Kollektorstrom: 6
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ZX5T853GTA ZX5T853GTA Hersteller : Diodes Inc 2297914065717749zx5t853g.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZX5T853GTA ZX5T853GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZX5T853G.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
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