IRF730PBF SILI
Produktcode: 123226
Hersteller: SILIUds,V: 400 V
Idd,A: 5,5 A
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/38
JHGF: THT
auf Bestellung 120 Stück:
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IRF730PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 774 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF730PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF730PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 774 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF730PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 3.5A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 474 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF730PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 3.5A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 474 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF730PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFET 400V N-CH HEXFET |
auf Bestellung 27505 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRF730PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 27334 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF730PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF730PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF730PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.5 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
auf Bestellung 4284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF730PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF730PBF | IRF730PBF Транзисторы HEXFET |
auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRF730PBF | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF730PBF Produktcode: 106889 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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1N4007 Produktcode: 176822 |
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 45375 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)DB106 (Diodenbrücke) Produktcode: 29740 |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: DB-1 (DIL (8.3x6.4)), DIP
Urew: 600V
I dir: 1A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Gehäuse: DB-1 (DIL (8.3x6.4)), DIP
Urew: 600V
I dir: 1A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
auf Bestellung 151 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)DB107G (Analoge DF10M) (Diodenbrücke) Produktcode: 42562 |
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: DB-1 (DIL (8.3x6.4)), DIP
Urew: 1000V
I dir: 1A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Auwechselbar:: DB101, DB102, DB103, DB104, DB105, DB106, DB107, DB101G, DB102G, DB103G, DB104G, DB105G, DB106G, DF005M, DF01M, DF02M, DF04M, DF06M, DF08M, DF10M
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 50 A
№ 7: 8541 10 00 10
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: DB-1 (DIL (8.3x6.4)), DIP
Urew: 1000V
I dir: 1A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Auwechselbar:: DB101, DB102, DB103, DB104, DB105, DB106, DB107, DB101G, DB102G, DB103G, DB104G, DB105G, DB106G, DF005M, DF01M, DF02M, DF04M, DF06M, DF08M, DF10M
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 50 A
№ 7: 8541 10 00 10
auf Bestellung 31 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.55 EUR |
10+ | 0.5 EUR |
Дротяний припій, 1mm, 16g, з флюсом, свинцевий, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2 5% Ø1.0, 16g Produktcode: 99859 |
Hersteller: CYNEL
Lötgeräte, Lötmaterial > Lote, Lötpasten
Kategorie: Припій з флюсом
Beschreibung: Припій для м'якої пайки з флюсом. Припій: Sn60Pb40; дріт; 1,0мм; 0,016кг; флюс: F-SW26; 2,5%, температура плавлення:190 ° С
Gewicht: 16 g
Durchschnitt: 1 mm
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°C
№ 6: Свинцевий
Lötgeräte, Lötmaterial > Lote, Lötpasten
Kategorie: Припій з флюсом
Beschreibung: Припій для м'якої пайки з флюсом. Припій: Sn60Pb40; дріт; 1,0мм; 0,016кг; флюс: F-SW26; 2,5%, температура плавлення:190 ° С
Gewicht: 16 g
Durchschnitt: 1 mm
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°C
№ 6: Свинцевий
auf Bestellung 1960 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 50 Stück:
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.2 EUR |
10+ | 1.08 EUR |
100+ | 1 EUR |
MPSA44 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 3411 |
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 20 MHz
Uceo,V: 400
Ucbo,V: 500
Ic,A: 0,3
h21: 200
ZCODE: 8541290090
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 20 MHz
Uceo,V: 400
Ucbo,V: 500
Ic,A: 0,3
h21: 200
ZCODE: 8541290090
verfügbar: 2331 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.06 EUR |
10+ | 0.05 EUR |
100+ | 0.041 EUR |