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BD139-16 (транзистор биполярный NPN)

BD139-16 (транзистор биполярный NPN) CDIL

Produktcode: 182302
Hersteller: CDIL
Gehäuse: SOT-32
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
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BD139-16 BD139-16 Hersteller : STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 7810 Stücke:
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203+0.35 EUR
348+ 0.21 EUR
424+ 0.17 EUR
474+ 0.15 EUR
501+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 203
BD139-16 BD139-16 Hersteller : STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Mindestbestellmenge: 203
BD139-16 BD139-16 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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542+ 0.28 EUR
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BD139-16 BD139-16 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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10000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 222
BD139-16 BD139-16 Hersteller : STMicroelectronics bd135-1848980.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
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2000+ 0.32 EUR
10000+ 0.28 EUR
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BD139-16 BD139-16 Hersteller : STMicroelectronics bd139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 740 Stücke:
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22+1.22 EUR
50+ 0.91 EUR
100+ 0.57 EUR
500+ 0.53 EUR
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BD139-16 BD139-16 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD139-16 BD139-16 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2307016.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BD139-16 Hersteller : CDIL bd139.pdf NPN 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 BD139-16 CDiL TBD13916cd
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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500+0.25 EUR
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BD139-16 Hersteller : STMicroelectronics bd139.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
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26+0.27 EUR
28+ 0.23 EUR
100+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 26
BD139-16 Hersteller : LGE bd139.pdf NPN 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 BD139-16 TBD13916 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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BD139-16 Hersteller : LGE bd139.pdf NPN 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 BD139-16 TBD13916 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Mindestbestellmenge: 200
BD139-16 Hersteller : STM bd139.pdf Транз. Бипол. ММ NPN SOT32 Uceo=80V; Ic=1,5A; Pdmax=12,5W; hfemin=25
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BD139-16 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD139-16 Hersteller : onsemi / Fairchild BD139-1300155.pdf Bipolar Transistors - BJT
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BD13916 Hersteller : onsemi BD139-1300155.pdf Bipolar Transistors - BJT
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BD139-16 BD139-16 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD139-16 (Bipolartransistor NPN) BD139-16 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 32641 		Hersteller : ST BD139-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-32
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 01.05.2015
h21: 100
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BD139-16 BD139-16
Produktcode: 152947 		Hersteller : LGE bd139.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-32
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
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BD140
Produktcode: 15292		 BD136,138,140.pdf
BD140
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 2017 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.14 EUR
10+ 0.12 EUR
BD140-16
Produktcode: 39648		 description datasheet_nxp-bd140-16.pdf
BD140-16
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
auf Bestellung 123 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+ 0.25 EUR
BD140-16
Produktcode: 188702		 description bd140.pdf
BD140-16
Hersteller: Philips
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80 V
U, V: 100 V
I, А: 1,5 A
auf Bestellung 82 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BC639 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 1158		 BC635,637,639.pdf
BC639 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 100
Ic,A: 1
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 504 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.11 EUR
10+ 0.1 EUR
100+ 0.09 EUR
UF4007 Dioden superschnelle 75ns neu
Produktcode: 17804		 description UF4001-4007.pdf
UF4007 Dioden superschnelle 75ns neu
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Vrr, V: 1000
Iav, A: 1
Trr, ns: 75
Austauschbar:: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
ZCODE: 8541 10 00 10
verfügbar: 3946 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.5 EUR
10+ 0.45 EUR
100+ 0.2 EUR