AOTL66915 Alpha & Omega Semiconductor
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Technische Details AOTL66915 Alpha & Omega Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 339A; Idm: 832A, Drain current: 339A, On-state resistance: 1.7mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 214W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 185nC, Technology: AlphaSGT™, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 832A, Mounting: SMD, Case: TOLLA, Drain-source voltage: 100V, Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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AOTL66915 | Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 339A; Idm: 832A Drain current: 339A On-state resistance: 1.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 214W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 185nC Technology: AlphaSGT™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 832A Mounting: SMD Case: TOLLA Drain-source voltage: 100V Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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AOTL66915 | Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 339A; Idm: 832A Drain current: 339A On-state resistance: 1.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 214W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 185nC Technology: AlphaSGT™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 832A Mounting: SMD Case: TOLLA Drain-source voltage: 100V |
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