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APT1001R6BFLLG

APT1001R6BFLLG MICROCHIP (MICROSEMI)


Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 8A; Idm: 32A; 266W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 266W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 55nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details APT1001R6BFLLG MICROCHIP (MICROSEMI)

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 8A; Idm: 32A; 266W; TO247-3, Case: TO247-3, Mounting: THT, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 32A, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 8A, On-state resistance: 1.6Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 266W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 55nC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
APT1001R6BFLLG APT1001R6BFLLG Hersteller : Microchip Technology 1001r6bfll_sfll.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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APT1001R6BFLLG APT1001R6BFLLG Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 8A; Idm: 32A; 266W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 266W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 55nC
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