APT1201R4BLLG Microchip Technology
Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details APT1201R4BLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247-3, Mounting: THT, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 7®, Case: TO247-3, Polarisation: unipolar, Gate charge: 0.12µC, On-state resistance: 1.4Ω, Drain current: 9A, Gate-source voltage: ±30V, Power dissipation: 300W, Drain-source voltage: 1.2kV, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT1201R4BLLG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT1201R4BLLG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247-3 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Case: TO247-3 Polarisation: unipolar Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 1.4Ω Drain current: 9A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 300W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
APT1201R4BLLG | Hersteller : Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1200V 9A TO247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
APT1201R4BLLG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247-3 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Case: TO247-3 Polarisation: unipolar Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 1.4Ω Drain current: 9A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 300W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |