Produkte > MICROCHIP (MICROSEMI) > APT1201R5BVFRG
APT1201R5BVFRG

APT1201R5BVFRG MICROCHIP (MICROSEMI)


Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: THT
Power dissipation: 370W
Case: TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 285nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.5Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar

Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details APT1201R5BVFRG MICROCHIP (MICROSEMI)

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A, Technology: POWER MOS 5®, Mounting: THT, Power dissipation: 370W, Case: TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 285nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 40A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 10A, On-state resistance: 1.5Ω, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote APT1201R5BVFRG

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
APT1201R5BVFRG Hersteller : Microsemi MOSFET Power FREDFET - MOS5
Produkt ist nicht verfügbar
APT1201R5BVFRG APT1201R5BVFRG Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A
Technology: POWER MOS 5®
Mounting: THT
Power dissipation: 370W
Case: TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 285nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.5Ω
Produkt ist nicht verfügbar