APT12040L2FLLG Microchip Technology
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Technische Details APT12040L2FLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 120A; 893W, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 30A, Case: TO264MAX, On-state resistance: 0.4Ω, Pulsed drain current: 120A, Power dissipation: 893W, Technology: POWER MOS 7®, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: tube, Mounting: THT, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of channel: enhancement, Polarisation: unipolar, Gate charge: 275nC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| APT12040L2FLLG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 120A; 893W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Case: TO264MAX On-state resistance: 0.4Ω Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 893W Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 275nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT12040L2FLLG | Hersteller : Microchip / Microsemi | MOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-264 MAX, RoHS |
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| APT12040L2FLLG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 120A; 893W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Case: TO264MAX On-state resistance: 0.4Ω Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 893W Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 275nC |
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