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APT5010B2VFRG

APT5010B2VFRG Microchip Technology


5010b2vfr.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 47A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
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Technische Details APT5010B2VFRG Microchip Technology

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 47A; 520W; T-Max, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: FREDFET; POWER MOS V®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 47A, Power dissipation: 520W, Case: T-Max, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.1Ω, Mounting: THT, Gate charge: 470nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
APT5010B2VFRG Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) APT5010B2VFRG.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 47A; 520W; T-Max
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FREDFET; POWER MOS V®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 47A
Power dissipation: 520W
Case: T-Max
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT5010B2VFRG Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) APT5010B2VFRG.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 47A; 520W; T-Max
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FREDFET; POWER MOS V®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 47A
Power dissipation: 520W
Case: T-Max
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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