APT5010B2VFRG Microchip Technology
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Technische Details APT5010B2VFRG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 47A; 520W; T-Max, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: FREDFET; POWER MOS V®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 47A, Power dissipation: 520W, Case: T-Max, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.1Ω, Mounting: THT, Gate charge: 470nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT5010B2VFRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 47A; 520W; T-Max Type of transistor: N-MOSFET Technology: FREDFET; POWER MOS V® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 47A Power dissipation: 520W Case: T-Max Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT5010B2VFRG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 47A; 520W; T-Max Type of transistor: N-MOSFET Technology: FREDFET; POWER MOS V® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 47A Power dissipation: 520W Case: T-Max Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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