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APT50M60L2VRG

APT50M60L2VRG Microchip Technology


APTTS02805_1-3532914.pdf Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET MOS5 500 V 60 mOhm TO-264 MAX
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Technische Details APT50M60L2VRG Microchip Technology

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 77A; Idm: 308A, Power dissipation: 833W, Polarisation: unipolar, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: tube, On-state resistance: 60mΩ, Drain current: 77A, Gate charge: 560nC, Drain-source voltage: 500V, Technology: POWER MOS 5®, Kind of channel: enhancement, Case: TO264MAX, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 308A, Mounting: THT, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
APT50M60L2VRG Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 77A; Idm: 308A
Power dissipation: 833W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 77A
Gate charge: 560nC
Drain-source voltage: 500V
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhancement
Case: TO264MAX
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 308A
Mounting: THT
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APT50M60L2VRG APT50M60L2VRG Hersteller : Microchip Technology 50m60l2vr.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube
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APT50M60L2VRG Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 77A; Idm: 308A
Power dissipation: 833W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 77A
Gate charge: 560nC
Drain-source voltage: 500V
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhancement
Case: TO264MAX
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 308A
Mounting: THT
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