B1D10065H BASiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 68W; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 68W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 17+ | 4.2 EUR |
| 23+ | 3.1 EUR |
| 150+ | 1.89 EUR |
| 600+ | 1.86 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details B1D10065H BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 68W; TO247-2; tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 10A, Power dissipation: 68W, Semiconductor structure: single diode, Case: TO247-2, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 75A, Max. forward voltage: 1.75V, Leakage current: 20µA, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote B1D10065H nach Preis ab 4.2 EUR bis 4.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
B1D10065H | Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 68W; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Power dissipation: 68W Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Kind of package: tube Max. forward impulse current: 75A Max. forward voltage: 1.75V Leakage current: 20µA |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|