B1D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 38W; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 38W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 75A
Max. forward voltage: 1.75V
Leakage current: 20µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
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Technische Details B1D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 38W; TO220ISO; tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 10A, Power dissipation: 38W, Semiconductor structure: single diode, Case: TO220ISO, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 75A, Max. forward voltage: 1.75V, Leakage current: 20µA, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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B1D10065KS | Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 38W; TO220ISO; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Power dissipation: 38W Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Kind of package: tube Max. forward impulse current: 75A Max. forward voltage: 1.75V Leakage current: 20µA |
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