B1D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 38W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 20µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 30+ | 2.45 EUR |
| 33+ | 2.2 EUR |
| 37+ | 1.96 EUR |
| 39+ | 1.86 EUR |
| 100+ | 1.79 EUR |
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Technische Details B1D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA, Case: TO220ISO, Mounting: THT, Kind of package: tube, Power dissipation: 38W, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Max. off-state voltage: 650V, Max. forward voltage: 1.75V, Load current: 10A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward impulse current: 75A, Leakage current: 20µA, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote B1D10065KS nach Preis ab 1.86 EUR bis 2.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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B1D10065KS | Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 20uA Case: TO220ISO Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 38W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.75V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 75A Leakage current: 20µA |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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