B1D40065H BASiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.62V
Load current: 40A
Max. forward impulse current: 310A
Power dissipation: 185W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 9.44 EUR |
| 10+ | 7.45 EUR |
| 150+ | 7.18 EUR |
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Technische Details B1D40065H BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA, Case: TO247-2, Mounting: THT, Kind of package: tube, Leakage current: 20µA, Max. forward voltage: 1.62V, Load current: 40A, Max. forward impulse current: 310A, Power dissipation: 185W, Max. off-state voltage: 650V, Semiconductor structure: single diode, Technology: SiC, Type of diode: Schottky rectifying, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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B1D40065H | Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Leakage current: 20µA Max. forward voltage: 1.62V Load current: 40A Max. forward impulse current: 310A Power dissipation: 185W Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: single diode Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying |
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