B1M080120HC

B1M080120HC BASiC SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8136B7B479E0D4&compId=B1M080120HC.pdf?ci_sign=0907b4299a0384db3809e52a040d6882159a5e2b Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 149nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.32 EUR
150+18.2 EUR
600+17.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details B1M080120HC BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Drain current: 27A, On-state resistance: 80mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 241W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 149nC, Technology: SiC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: -5...20V, Pulsed drain current: 80A, Drain-source voltage: 1.2kV, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote B1M080120HC nach Preis ab 18.32 EUR bis 18.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
B1M080120HC B1M080120HC Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8136B7B479E0D4&compId=B1M080120HC.pdf?ci_sign=0907b4299a0384db3809e52a040d6882159a5e2b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 27A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 241W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 149nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH