
B2D10065K1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 20µA
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 85A
Power dissipation: 62W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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29+ | 2.55 EUR |
32+ | 2.29 EUR |
41+ | 1.74 EUR |
44+ | 1.66 EUR |
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Technische Details B2D10065K1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA, Case: TO220-2, Mounting: THT, Kind of package: tube, Leakage current: 20µA, Max. forward voltage: 1.7V, Load current: 10A, Max. forward impulse current: 85A, Power dissipation: 62W, Max. off-state voltage: 650V, Semiconductor structure: single diode, Technology: SiC, Type of diode: Schottky rectifying, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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B2D10065K1 | Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 20uA Case: TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Leakage current: 20µA Max. forward voltage: 1.7V Load current: 10A Max. forward impulse current: 85A Power dissipation: 62W Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: single diode Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying |
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