B2D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220ISO
Leakage current: 10µA
Max. forward impulse current: 85A
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 10A
Power dissipation: 47W
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 2.9 EUR |
| 28+ | 2.62 EUR |
| 36+ | 2 EUR |
| 38+ | 1.9 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details B2D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA, Mounting: THT, Semiconductor structure: single diode, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Case: TO220ISO, Leakage current: 10µA, Max. forward impulse current: 85A, Max. forward voltage: 1.7V, Load current: 10A, Power dissipation: 47W, Max. off-state voltage: 650V, Kind of package: tube, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote B2D10065KS nach Preis ab 1.9 EUR bis 2.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
B2D10065KS | Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA Mounting: THT Semiconductor structure: single diode Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO220ISO Leakage current: 10µA Max. forward impulse current: 85A Max. forward voltage: 1.7V Load current: 10A Power dissipation: 47W Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|