B2D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 47W; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Power dissipation: 47W
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 85A
Max. forward voltage: 1.7V
Leakage current: 10µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 28+ | 2.59 EUR |
| 31+ | 2.33 EUR |
| 36+ | 2 EUR |
| 38+ | 1.89 EUR |
| 100+ | 1.86 EUR |
| 500+ | 1.83 EUR |
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Technische Details B2D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 47W; TO220ISO; tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 10A, Power dissipation: 47W, Semiconductor structure: single diode, Case: TO220ISO, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 85A, Max. forward voltage: 1.7V, Leakage current: 10µA, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||
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B2D10065KS | Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 47W; TO220ISO; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Power dissipation: 47W Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Kind of package: tube Max. forward impulse current: 85A Max. forward voltage: 1.7V Leakage current: 10µA |
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