B2D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA
Case: TO220ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Leakage current: 10µA
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 85A
Power dissipation: 47W
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 2.9 EUR |
| 28+ | 2.62 EUR |
| 36+ | 2 EUR |
| 38+ | 1.9 EUR |
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Technische Details B2D10065KS BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA, Case: TO220ISO, Mounting: THT, Kind of package: tube, Leakage current: 10µA, Max. forward voltage: 1.7V, Load current: 10A, Max. forward impulse current: 85A, Power dissipation: 47W, Max. off-state voltage: 650V, Semiconductor structure: single diode, Technology: SiC, Type of diode: Schottky rectifying, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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B2D10065KS | Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; Ir: 10uA Case: TO220ISO Mounting: THT Kind of package: tube Leakage current: 10µA Max. forward voltage: 1.7V Load current: 10A Max. forward impulse current: 85A Power dissipation: 47W Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: single diode Technology: SiC Type of diode: Schottky rectifying |
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