B2D10120H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 3.73 EUR |
| 22+ | 3.37 EUR |
| 28+ | 2.57 EUR |
| 30+ | 2.43 EUR |
| 600+ | 2.4 EUR |
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Technische Details B2D10120H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 10A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO247-2, Max. forward voltage: 2V, Max. forward impulse current: 90A, Leakage current: 30µA, Kind of package: tube, Power dissipation: 62W, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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B2D10120H1 | Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 2V Max. forward impulse current: 90A Leakage current: 30µA Kind of package: tube Power dissipation: 62W |
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