B2D10120H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 62W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 3.73 EUR |
| 22+ | 3.37 EUR |
| 28+ | 2.57 EUR |
| 30+ | 2.43 EUR |
| 600+ | 2.4 EUR |
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Technische Details B2D10120H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V, Case: TO247-2, Mounting: THT, Kind of package: tube, Power dissipation: 62W, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Max. off-state voltage: 1.2kV, Max. forward voltage: 2V, Load current: 10A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward impulse current: 90A, Leakage current: 30µA, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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B2D10120H1 | Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 62W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 2V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 90A Leakage current: 30µA |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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