
B2D10120K1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ufmax: 2V
Case: TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 80W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 90A
Leakage current: 30µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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2+ | 35.75 EUR |
5+ | 14.3 EUR |
14+ | 5.11 EUR |
500+ | 3.12 EUR |
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Technische Details B2D10120K1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ufmax: 2V, Case: TO220-2, Mounting: THT, Kind of package: tube, Power dissipation: 80W, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Max. off-state voltage: 1.2kV, Max. forward voltage: 2V, Load current: 10A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward impulse current: 90A, Leakage current: 30µA, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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B2D10120K1 | Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ufmax: 2V Case: TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 80W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 2V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 90A Leakage current: 30µA |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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