
B2D20065H1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
Leakage current: 15µA
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Power dissipation: 130W
Max. forward impulse current: 146A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: single diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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13+ | 5.62 EUR |
15+ | 5.05 EUR |
19+ | 3.88 EUR |
20+ | 3.66 EUR |
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Technische Details B2D20065H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA, Mounting: THT, Kind of package: tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Case: TO247-2, Leakage current: 15µA, Max. forward voltage: 1.7V, Load current: 20A, Power dissipation: 130W, Max. forward impulse current: 146A, Max. off-state voltage: 650V, Semiconductor structure: single diode, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote B2D20065H1 nach Preis ab 3.66 EUR bis 5.62 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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B2D20065H1 | Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO247-2 Leakage current: 15µA Max. forward voltage: 1.7V Load current: 20A Power dissipation: 130W Max. forward impulse current: 146A Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: single diode |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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