B2D20065H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 146A
Leakage current: 15µA
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 71.5 EUR |
| 3+ | 23.84 EUR |
| 5+ | 14.3 EUR |
| 12+ | 5.96 EUR |
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Technische Details B2D20065H1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Max. forward voltage: 1.7V, Load current: 20A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward impulse current: 146A, Leakage current: 15µA, Power dissipation: 130W, Kind of package: tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Case: TO247-2, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote B2D20065H1 nach Preis ab 71.5 EUR bis 71.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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B2D20065H1 | Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.7V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 146A Leakage current: 15µA Power dissipation: 130W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO247-2 |
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