B2D20065TF BASiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; 33W; TO3PF; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Power dissipation: 33W
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 70A
Max. forward voltage: 1.62V
Leakage current: 20µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
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Technische Details B2D20065TF BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; 33W; TO3PF; tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 10A x2, Max. load current: 20A, Power dissipation: 33W, Semiconductor structure: common cathode; double, Case: TO3PF, Kind of package: tube, Max. forward impulse current: 70A, Max. forward voltage: 1.62V, Leakage current: 20µA, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||
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B2D20065TF | Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; 33W; TO3PF; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Max. load current: 20A Power dissipation: 33W Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO3PF Kind of package: tube Max. forward impulse current: 70A Max. forward voltage: 1.62V Leakage current: 20µA |
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