 
BCP53-16E6327 Infineon Technologies
 Hersteller: Infineon Technologies
                                                Hersteller: Infineon TechnologiesTrans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details BCP53-16E6327 Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 80V 1A PG-SOT-143R-3D, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-143R, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 125MHz, Supplier Device Package: PG-SOT-143R-3D, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W. 
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | 
|---|---|---|---|---|---|
|   | BCP 53-16 E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |  Description: TRANS PNP 80V 1A PG-SOT-143R-3D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-143R Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PG-SOT-143R-3D Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | Produkt ist nicht verfügbar | |
|   | BCP 53-16 E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |  Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | |
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