BCR 112 E6327 Infineon Technologies
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Technische Details BCR 112 E6327 Infineon Technologies
Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ, Type of transistor: NPN, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: BRT, Collector-emitter voltage: 50V, Collector current: 0.1A, Power dissipation: 0.2W, Case: SOT23, Mounting: SMD, Frequency: 140MHz, Base resistor: 4.7kΩ, Base-emitter resistor: 4.7kΩ.
Weitere Produktangebote BCR 112 E6327
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| BCR112-E6327 | Hersteller : Infineon |
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| BCR112ЎЎE6327 |
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BCR112E6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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| BCR112E6327 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 140MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ |
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