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BXP3N50D BRIDGELUX


Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; Idm: 12A; 50W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 50W
Gate charge: 9nC
Pulsed drain current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details BXP3N50D BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; Idm: 12A; 50W; TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 3A, Case: TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 3Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tube, Kind of channel: enhancement, Power dissipation: 50W, Gate charge: 9nC, Pulsed drain current: 12A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BXP3N50D Hersteller : BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; Idm: 12A; 50W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 50W
Gate charge: 9nC
Pulsed drain current: 12A
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