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BXP4N60D

BXP4N60D BRIDGELUX


Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 830 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
180+0.4 EUR
200+ 0.36 EUR
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Technische Details BXP4N60D BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 2.5A, Pulsed drain current: 16A, Power dissipation: 77W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2.5Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 13.2nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
BXP4N60D BXP4N60D Hersteller : BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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