Produkte > BRIDGELUX > BXP7N60D

BXP7N60D BRIDGELUX


Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BXP7N60D BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 28A; 145W; TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 7A, Pulsed drain current: 28A, Power dissipation: 145W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.3Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 21nC, Kind of package: reel; tube, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote BXP7N60D

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BXP7N60D Hersteller : BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH