BXP8N50D BRIDGELUX

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE81F1F08300D2&compId=BXP8N50.pdf?ci_sign=f98aa5d24627c912e27ad64f7c9a10ecfaf4f7d9

Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.3A; Idm: 32A; 100W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Technische Details BXP8N50D BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.3A; Idm: 32A; 100W; TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 5.3A, Pulsed drain current: 32A, Power dissipation: 100W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.9Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 25nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	BXP8N50D	Hersteller : BRIDGELUX	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.3A; Idm: 32A; 100W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.3A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 100W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH