BXT1000N06M BRIDGELUX
Hersteller: BRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.2nC
On-state resistance: 0.11Ω
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 278+ | 0.26 EUR |
| 360+ | 0.2 EUR |
| 540+ | 0.13 EUR |
| 771+ | 0.093 EUR |
| 1286+ | 0.056 EUR |
| 3000+ | 0.05 EUR |
| 6000+ | 0.044 EUR |
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Technische Details BXT1000N06M BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Power dissipation: 1.5W, Case: SOT23-3, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 5.2nC, On-state resistance: 0.11Ω, Drain current: 2A, Pulsed drain current: 12A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 60V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote BXT1000N06M nach Preis ab 0.056 EUR bis 0.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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BXT1000N06M | Hersteller : BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.5W Case: SOT23-3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 5.2nC On-state resistance: 0.11Ω Drain current: 2A Pulsed drain current: 12A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V |
auf Bestellung 1287 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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