BXT1000N06M BRIDGELUX
Hersteller: BRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1512 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 278+ | 0.26 EUR |
| 371+ | 0.19 EUR |
| 555+ | 0.13 EUR |
| 1512+ | 0.047 EUR |
| 12000+ | 0.039 EUR |
| 30000+ | 0.038 EUR |
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Technische Details BXT1000N06M BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3, Case: SOT23-3, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 2A, On-state resistance: 0.11Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.5W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 5.2nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 12A, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote BXT1000N06M nach Preis ab 0.047 EUR bis 0.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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BXT1000N06M | Hersteller : BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3 Case: SOT23-3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A On-state resistance: 0.11Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 5.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 12A Mounting: SMD |
auf Bestellung 1512 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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