BXT1000N06M BRIDGELUX
Hersteller: BRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3
Case: SOT23-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Gate charge: 5.2nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 1.5W
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1401 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 250+ | 0.29 EUR |
| 332+ | 0.22 EUR |
| 498+ | 0.14 EUR |
| 1401+ | 0.051 EUR |
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Technische Details BXT1000N06M BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3, Case: SOT23-3, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 2A, Gate charge: 5.2nC, On-state resistance: 0.11Ω, Power dissipation: 1.5W, Pulsed drain current: 12A, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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BXT1000N06M | Hersteller : BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3 Case: SOT23-3 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Gate charge: 5.2nC On-state resistance: 0.11Ω Power dissipation: 1.5W Pulsed drain current: 12A Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape |
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