BXT1150N10J BRIDGELUX
Hersteller: BRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Case: SOT89-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 135mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7685 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 417+ | 0.17 EUR |
| 463+ | 0.15 EUR |
| 579+ | 0.12 EUR |
| 647+ | 0.11 EUR |
| 776+ | 0.092 EUR |
| 866+ | 0.083 EUR |
| 1000+ | 0.077 EUR |
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Technische Details BXT1150N10J BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3, Case: SOT89-3, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 5.6A, Gate charge: 21nC, On-state resistance: 135mΩ, Power dissipation: 2W, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 32A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote BXT1150N10J nach Preis ab 0.066 EUR bis 0.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||||
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BXT1150N10J | Hersteller : BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3 Case: SOT89-3 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.6A Gate charge: 21nC On-state resistance: 135mΩ Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 32A |
auf Bestellung 7685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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