BXT1150N10J BRIDGELUX
Hersteller: BRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3962 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 358+ | 0.2 EUR |
| 424+ | 0.17 EUR |
| 528+ | 0.14 EUR |
| 592+ | 0.12 EUR |
| 981+ | 0.073 EUR |
| 1042+ | 0.069 EUR |
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Technische Details BXT1150N10J BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 5.6A, Pulsed drain current: 32A, Power dissipation: 2W, Case: SOT89-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 135mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 21nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote BXT1150N10J nach Preis ab 0.069 EUR bis 0.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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BXT1150N10J | Hersteller : BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.6A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 2W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 135mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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