BXT1150N10J BRIDGELUX
Hersteller: BRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3962 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 358+ | 0.2 EUR |
| 428+ | 0.17 EUR |
| 532+ | 0.13 EUR |
| 596+ | 0.12 EUR |
| 981+ | 0.073 EUR |
| 1042+ | 0.069 EUR |
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Technische Details BXT1150N10J BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3, Case: SOT89-3, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 5.6A, On-state resistance: 135mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 2W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 21nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 32A, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote BXT1150N10J nach Preis ab 0.069 EUR bis 0.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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BXT1150N10J | Hersteller : BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3 Case: SOT89-3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.6A On-state resistance: 135mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 32A Mounting: SMD |
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