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CIGT201608EH1R0MNE

CIGT201608EH1R0MNE SAMSUNGEM

cigt201608eh1r0mne.pdf Hersteller: SAMSUNGEM
Inductor Power Shielded Thin Film 1uH 20% 1MHz Metal 3.6A 0.048Ohm DCR 0806 T/R
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Technische Details CIGT201608EH1R0MNE SAMSUNGEM

Inductor Power Shielded Thin Film 1uH 20% 1MHz Metal 3.6A 0.048Ohm DCR 0806 T/R.