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CIL21NR82KNE SAMSUNG

Hersteller: SAMSUNG

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Technische Details CIL21NR82KNE SAMSUNG

Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.82uH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 0.15A 0.6Ohm DCR 0805 T/R.

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CIL21NR82KNE CIL21NR82KNE Hersteller : SAMSUNGEM inductor-general.pdf Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.82uH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 0.15A 0.6Ohm DCR 0805 T/R
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