Technische Details CIL21NR82KNE SAMSUNG
Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.82uH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 0.15A 0.6Ohm DCR 0805 T/R.
Weitere Produktangebote CIL21NR82KNE
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
CIL21NR82KNE | Hersteller : SAMSUNGEM |
 Inductor RF Shielded Multi-Layer 0.82uH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 0.15A 0.6Ohm DCR 0805 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |