DG20X06T2 STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG20X06T2 - IGBT, 42 A, 1.45 V, 313 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A
SVHC: To Be Advised
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
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Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A
SVHC: To Be Advised
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Technische Details DG20X06T2 STARPOWER
Description: STARPOWER - DG20X06T2 - IGBT, 42 A, 1.45 V, 313 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote DG20X06T2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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DG20X06T2 | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 29A Power dissipation: 166W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 26ns Turn-off time: 200ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DG20X06T2 | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 29A Power dissipation: 166W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 26ns Turn-off time: 200ns |
Produkt ist nicht verfügbar |