DG20X06T2

DG20X06T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR


DG20X06T2.pdf Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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Technische Details DG20X06T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 29A, Power dissipation: 166W, Case: TO247, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 60A, Mounting: THT, Gate charge: 0.14µC, Kind of package: tube, Turn-on time: 26ns, Turn-off time: 200ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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DG20X06T2 DG20X06T2 Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR DG20X06T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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DG20X06T2 DG20X06T2 Hersteller : STARPOWER 3410770.pdf Description: STARPOWER - DG20X06T2 - IGBT, 42 A, 1.45 V, 313 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
MSL: -
Verlustleistung: 313
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: DOSEMI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 164 Stücke:
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