DG50X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Collector current: 50A
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.35µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 592W
Kind of package: tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 7+ | 10.3 EUR |
| 10+ | 7.24 EUR |
| 11+ | 6.84 EUR |
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Technische Details DG50X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - DG50X12T2 - IGBT, 100 A, 1.75 V, 1.049 kW, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.049kW, Bauform - Transistor: TO-247 Plus, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote DG50X12T2 nach Preis ab 6.84 EUR bis 10.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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DG50X12T2 | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS Collector current: 50A Case: TO247PLUS Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.35µC Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 180ns Turn-off time: 607ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 592W Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DG50X12T2 | Hersteller : STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG50X12T2 - IGBT, 100 A, 1.75 V, 1.049 kW, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.049kW Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |