DG75X07T2L STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG75X07T2L - IGBT, 150 A, 1.5 V, 980 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
Verlustleistung: 980W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 150A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 22.9 EUR |
| 16+ | 15.41 EUR |
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Technische Details DG75X07T2L STARPOWER
Description: STARPOWER - DG75X07T2L - IGBT, 150 A, 1.5 V, 980 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: -, Verlustleistung: 980W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 150A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote DG75X07T2L
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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DG75X07T2L | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 428W; TO247PLUS Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 428W Case: TO247PLUS Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 0.52µC Kind of package: tube Turn-on time: 264ns Turn-off time: 369ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DG75X07T2L |
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Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 428W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.52µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 264ns
Turn-off time: 369ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 428W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.52µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 264ns
Turn-off time: 369ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)