DIW065SIC015 DIOTEC SEMICONDUCTOR


diw065sic015.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 16mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 550W
Gate charge: 236nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+34.44 EUR
5+31.69 EUR
30+29.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DIW065SIC015 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Drain-source voltage: 650V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: -4...15V, Kind of package: tube, On-state resistance: 16mΩ, Pulsed drain current: 300A, Power dissipation: 550W, Gate charge: 236nC, Polarisation: unipolar, Technology: SiC, Drain current: 100A, Kind of channel: enhancement.

Weitere Produktangebote DIW065SIC015 nach Preis ab 39.54 EUR bis 59.46 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DIW065SIC015 DIW065SIC015 Diotec Semiconductor SiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175DegC
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.46 EUR
10+39.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC015
Hersteller: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175DegC
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+59.46 EUR
10+39.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH