Produkte > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DIW065SIC015
DIW065SIC015

DIW065SIC015 DIOTEC SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF969573DC184C80D6&compId=diw065sic015.pdf?ci_sign=c062edef1c94ddd57813eda408e33dad6ede76df Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 550W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 236nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...15V
Pulsed drain current: 300A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+28.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DIW065SIC015 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W, Mounting: THT, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 100A, On-state resistance: 16mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 550W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 236nC, Technology: SiC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: -4...15V, Pulsed drain current: 300A, Case: TO247-3, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote DIW065SIC015 nach Preis ab 28.19 EUR bis 154.33 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DIW065SIC015 DIW065SIC015 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF969573DC184C80D6&compId=diw065sic015.pdf?ci_sign=c062edef1c94ddd57813eda408e33dad6ede76df Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 550W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 236nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...15V
Pulsed drain current: 300A
Case: TO247-3
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+28.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC015 DIW065SIC015 Hersteller : Diotec Semiconductor SiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175°C
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+154.33 EUR
10+120.67 EUR
120+72.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH