DIW065SIC049 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...18V
Kind of package: tube
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 550W
Gate charge: 128nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 22.09 EUR |
| 5+ | 19.04 EUR |
| 10+ | 17.5 EUR |
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Technische Details DIW065SIC049 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Drain-source voltage: 650V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: -5...18V, Kind of package: tube, On-state resistance: 50mΩ, Pulsed drain current: 135A, Power dissipation: 550W, Gate charge: 128nC, Polarisation: unipolar, Technology: SiC, Drain current: 48A, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote DIW065SIC049 nach Preis ab 13.76 EUR bis 26.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DIW065SIC049 | Diotec Semiconductor | SiC MOSFETs |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DIW065SIC049 |
Hersteller: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs
SiC MOSFETs
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 26.37 EUR |
| 10+ | 16.62 EUR |
| 120+ | 14.33 EUR |
| 510+ | 13.78 EUR |
| 1020+ | 13.76 EUR |