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Technische Details DMP26M1UFG-13 Diodes Zetex
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -56A; Idm: -110A; 3W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -56A, Pulsed drain current: -110A, Power dissipation: 3W, Case: PowerDI3333-8, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 17mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 164nC, Kind of package: 13 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote DMP26M1UFG-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| DMP26M1UFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333-8 T&R 3K |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| DMP26M1UFG-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -56A; Idm: -110A; 3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -56A Pulsed drain current: -110A Power dissipation: 3W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 164nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMP26M1UFG-13 |
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333-8 T&R 3K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333-8 T&R 3K
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DMP26M1UFG-13 |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -56A; Idm: -110A; 3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -56A
Pulsed drain current: -110A
Power dissipation: 3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -56A; Idm: -110A; 3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -56A
Pulsed drain current: -110A
Power dissipation: 3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
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