FDS4897C ON Semiconductor
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 917+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDS4897C ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FDS4897C nach Preis ab 0.51 EUR bis 2.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDS4897C | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS4897C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
FDS4897C | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 40632 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
FDS4897C | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
auf Bestellung 283 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
FDS4897C | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
| FDS4897C | Hersteller : Fairchild |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC FDS4897C TFDS4897C Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
 |
FDS4897C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
FDS4897C | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
Produkt ist nicht verfügbar |