FGA180N33ATTU onsemi
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH 330V 180A TO-3P
Power - Max: 390 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V
Current - Collector (Ic) (Max): 180 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 169 nC
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 40A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
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Technische Details FGA180N33ATTU onsemi
Description: IGBT TRENCH 330V 180A TO-3P, Power - Max: 390 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 450 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 330 V, Current - Collector (Ic) (Max): 180 A, Part Status: Obsolete, Gate Charge: 169 nC, IGBT Type: Trench, Supplier Device Package: TO-3P, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 40A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| FGA180N33ATTU | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 330V 180A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FGA180N33ATTU |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 330V 180A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans IGBT Chip N-CH 330V 180A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH