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Technische Details FGY4L75T120SWD onsemi
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 326W; TO247-4, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Collector current: 75A, Power dissipation: 326W, Case: TO247-4, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 300A, Mounting: THT, Gate charge: 225.6nC, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal.
Weitere Produktangebote FGY4L75T120SWD
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| FGY4L75T120SWD | Hersteller : ON Semiconductor |
 N-channel IGBT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FGY4L75T120SWD | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 326W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 326W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 225.6nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
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