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Technische Details FGY4L75T120SWD onsemi
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 326W; TO247-4, Collector current: 75A, Mounting: THT, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Power dissipation: 326W, Gate charge: 225.6nC, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Pulsed collector current: 300A, Type of transistor: IGBT, Kind of package: tube, Case: TO247-4, Gate-emitter voltage: ±20V.
Weitere Produktangebote FGY4L75T120SWD nach Preis ab 12.92 EUR bis 21.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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FGY4L75T120SWD | onsemi |
 Description: IGBT FS 1200V 150A TO-247-4L |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FGY4L75T120SWD |
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Hersteller: onsemi
Description: IGBT FS 1200V 150A TO-247-4L
Description: IGBT FS 1200V 150A TO-247-4L
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